2024 Auteur: Elizabeth Oswald | [email protected]. Dernière modifié: 2024-01-13 00:06
L'expression générale de la pente sous-seuil sous-seuil pente La pente sous-seuil est une caractéristique de la caractéristique courant-tension d'un MOSFET. Dans la région sous-seuil, le comportement du courant de drain - bien qu'étant contrôlé par la borne de grille - est similaire au courant décroissant de manière exponentielle d'une diode polarisée en direct. https://en.wikipedia.org › wiki › Subthreshold_slope
Pente sous-seuil - Wikipédia
(swing) est S=(d(log10Ids)/dVgs)-1. Ou à partir du graphique ci-dessus, à très faible Vgs, prenez la dérivée des valeurs logarithmiques d'Ids par rapport à Vgs, puis inversez la valeur résultante.
Qu'entend-on par balancement sous-seuil ?
L'oscillation sous-seuil est définie comme la tension de grille requise . pour changer le courant de drain d'un ordre de grandeur, un . décennie. Dans le MOSFET, l'oscillation sous le seuil est limitée. à (kT/q) ln10 ou 60 mV/dec à température ambiante, et avec.
Qu'est-ce que le facteur de pente sous-seuil ?
La pente de sous-seuil est une caractéristique de la caractéristique courant-tension d'un MOSFET . … Une déc (décennie) correspond à une augmentation de 10 fois du courant de drain ID. Un appareil caractérisé par une forte pente inférieure au seuil présente une transition plus rapide entre les états désactivé (courant faible) et activé (courant élevé).
Quelle est l'importance du swing sous-seuil ?
Le swing sous-seuil est un paramètre important dansmodélisation du régime d'inversion faible, en particulier pour les applications analogiques à gain élevé, les circuits d'imagerie et les applications basse tension.
Comment le courant sous-seuil varie-t-il avec la tension de grille ?
Cette réduction signifie moins d'oscillation de la tension de grille en dessous du seuil pour éteindre l'appareil, et comme la conduction sous le seuil varie de façon exponentielle avec la tension de grille (voir MOSFET: Mode de coupure), elle devient de plus en plus importante à mesure que les MOSFET rétrécissenten taille.
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